超快速熔断器选型参考数据
作者:天正客服 来源:未知 发表时间:2020-04-09
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【快速熔断器是一种熔断器的一种,快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同,但熔体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔断器的熔丝除了具有一定形状的金属丝外,还会在上面点上某种材质的焊点,其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开】。超快速熔断器选型有哪些?
· 额定电压:
快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时,应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性,此时快速熔断器熔断时,熔片两端交流电压与直流电压叠加现象,快速熔断器的额定电压应按下式计算:UN ≥Uac+Udo×1/√2 式中:Uac:快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo:半导体设备负载端逆变型直流电压。
· 额定电流:
熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础,并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF 式中:K值一般可取1.5~2。对于自冷式熔断器K取较大值,尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路,需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值,对半导体器件的保护是有害的。
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